Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Polysilizium-Gate-MOS-Struktur — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Silizid-Polysilizium-Gate — polikristalinio silicio ir silicido užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycide gate; polysilicon silicide gate vok. Silizid Polysilizium Gate, n rus. затвор из поликремния и силицида металла, m pranc. grille… … Radioelektronikos terminų žodynas
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Poly-Si-Gate-MOS-Struktur — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
polycrystalline silicon-gate MOS — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
polycrystalline silicon-gate MOS structure — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
polycide gate — polikristalinio silicio ir silicido užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycide gate; polysilicon silicide gate vok. Silizid Polysilizium Gate, n rus. затвор из поликремния и силицида металла, m pranc. grille… … Radioelektronikos terminų žodynas
polysilicon-silicide gate — polikristalinio silicio ir silicido užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycide gate; polysilicon silicide gate vok. Silizid Polysilizium Gate, n rus. затвор из поликремния и силицида металла, m pranc. grille… … Radioelektronikos terminų žodynas
poly silicon gate — polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. poly silicon gate vok. Polysilizium Gate, n rus. поликремниевый затвор, m pranc. grille de polysilicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
